收藏本站 The Best Quality of Power Equipment

三极管做开关的高频开关电源电路设计中常用到的电容作用是什么?

1.开关三极管的根本电路图

负载电阻被直接跨接于三极管的集电极与高频开关电源之间,而位居三极管主电流的回路上,输入电压Vin则操控三极管开关的敞开(open) 与闭合(closed) 动作,当三极管呈敞开状况时,负载电流便被阻断,反之,当三极管呈闭合状况时,电流便能够流转。  具体的说,当Vin为低电压时,因为基极没有电流,因而集电极亦无电流,致使连接于集电极端的负载亦没有电流,而相当于开关的敞开,此刻三极管乃作业于截止(cut off)区。  

同理,当Vin为高电压时,因为有基极电流活动,因而使集电极流过更大的扩大电流,因而负载回路便被导通,而相当于开关的闭合,此刻三极管乃作业于饱满区(saturation)。

关于晶体三极管的开关饱满区,MOS管的饱满区就是晶体管的扩大区。

晶体三极管的扩大是电流联系的扩大,即Ic=B*Ib

而MOS管的扩大倍数是Ic=B*Ugs,与g、s两头的电压有联系

MOS管的扩大倍数比较大,安稳。

 

三极管做开关的高频开关电源电路设计中常用到的电容作用是什么?

三极管做开关的高频开关电源电路设计中常用到的电容作用是什么?

三极管做开关的高频开关电源电路设计中常用到的电容作用是什么?

三极管做开关的高频开关电源电路设计中常用到的电容作用是什么?

2.基极电阻的选取

(1)首要判别三极管的作业状况,是扩大区(增大驱动电流)仍是饱满区(开关作用)

(2)若作业在扩大区,依据集电极负载的参数,核算出集电极的电流,之后依据三级管的扩大特性核算出基极电流,再依据电流值核算出电阻。

(3)若作业在饱满区,

以NPN管为例大致核算一下典型3元件开关电路的选值:

设晶体管的直流扩大系数为100,Ib=(驱动电压-0.7Vbe结压降)/Rb,Vce=Vcc-100Ib×Rc,令Vce=0,由此可算出临界值(饱满区与扩大区的临界),只需Rb小于临界值即可,但其最小值受器材Ib容限约束,切勿超越。

3.补偿电容电路图

一般线性作业的扩大器(即引进负反馈的扩大电路)的输入寄生电容Cs会影响电路的安稳性,其补偿办法见图。扩大器的输入端一般存在约几皮法的寄生电容Cs,其频带的上限频率约为:

ωh=1/(2πRfCs)

为了坚持扩大电路的电压扩大倍数较高,更通用的办法是在Rf上并接一个补偿电容Cf,使RinCf网络与RfCs网络构成相位补偿。RinCf将引起输出电压相位超前,因为不能准确知道Cs的值,所以相位超前量与滞后量不可能得到完全补偿,一般是选用可变电容Cf,用试验和调整Cf的办法使附加相移最小。若Rf=10kΩ,Cf的典型值丝边3~10pF。关于电压跟从器而言,其Cf值能够稍大一些。

 三极管做开关的高频开关电源电路设计中常用到的电容作用是什么?

3.运放高频开关电源旁路电容

旁路是把前级或高频开关电源带着的高频杂波或信号滤除,去藕是为确保输出端的安稳输出

每个集成运放的高频开关电源引线,一般都应选用去偶旁路办法,如图所示图中的高频旁路电容,一般可选用高频功能优秀的陶瓷电容,其值约为0.1μF。或选用lμF的钽电容。这些电容的内电感值都较小。在运放的高速应用时,旁路电容C1和C2应接到集成运放的高频开关电源引脚上,引线尽量短,这样能够构成低电感接地回路。

 三极管做开关的高频开关电源电路设计中常用到的电容作用是什么?

注:当所使用的扩大器的增益带宽乘积大于10MHz时,应选用更严格的高频旁路办法,此刻应选用射频旁路电容,关于通用集成芯片,对旁路的要求不高,但也不能忽视,一般最好每4~5个器材加一套旁路电容。不论所用集成电路器材有多少,每个印刷板都要至少加一套旁路电容。

在直流高频开关电源回路中,负载的改变会引起高频开关电源噪声。例如在数字电路中,当电路从一个状况转换为另一种状况时,就会在高频开关电源线上发生一个很大的尖峰电流,构成瞬变的噪声电压。装备去耦电容能够按捺因负载改变而发生的噪声,是印制电路板的可靠性设计的一种惯例做法,装备准则如下:

●高频开关电源输入端跨接一个10~100uF的电解电容器,假如印制电路板的方位答应,选用100uF以上的电解电容器的抗干扰作用会更好。

●为每个集成电路芯片装备一个0.01uF的陶瓷电容器。如遇到印制电路板空间小而装不下时,可每4~10个芯片装备一个1~10uF钽电解电容器,这种器材的高频阻抗特别小,在500kHz~20MHz范围内阻抗小于1Ω,并且漏电流很小(0.5uA以下)。

●关于噪声才能弱、关断时电流改变大的器材和ROM、RAM等存储型器材,应在芯片的高频开关电源线(Vcc)和地线(GND)间直接接入去耦电容。

●去耦电容的引线不能过长,特别是高频旁路电容不能带引线。

在直流高频开关电源回路中,负载的改变会引起高频开关电源噪声。例如在数字电路中,当电路从一个状况转换为另一种状况时,就会在高频开关电源线上发生一个很大的尖峰电流,构成瞬变的噪声电压。装备去耦电容能够按捺因负载改变而发生的噪声,是印制电路板的可靠性设计的一种惯例做法,装备准则如下:

●高频开关电源输入端跨接一个10~100uF的电解电容器,假如印制电路板的方位答应,选用100uF以上的电解电容器的抗干扰作用会更好。

●为每个集成电路芯片装备一个0.01uF的陶瓷电容器。如遇到印制电路板空间小而装不下时,可每4~10个芯片装备一个1~10uF钽电解电容器,这种器材的高频阻抗特别小,在500kHz~20MHz范围内阻抗小于1Ω,并且漏电流很小(0.5uA以下)。

●关于噪声才能弱、关断时电流改变大的器材和ROM、RAM等存储型器材,应在芯片的高频开关电源线(Vcc)和地线(GND)间直接接入去耦电容。

●去耦电容的引线不能过长,特别是高频旁路电容不能带引线。在直流高频开关电源回路中,负载的改变会引起高频开关电源噪声。例如在数字电路中,当电路从一个状况转换为另一种状况时,就会在高频开关电源线上发生一个很大的尖峰电流,构成瞬变的噪声电压。装备去耦电容能够按捺因负载改变而发生的噪声,是印制电路板的可靠性设计的一种惯例做法,装备准则如下:

●高频开关电源输入端跨接一个10~100uF的电解电容器,假如印制电路板的方位答应,选用100uF以上的电解电容器的抗干扰作用会更好。

●为每个集成电路芯片装备一个0.01uF的陶瓷电容器。如遇到印制电路板空间小而装不下时,可每4~10个芯片装备一个1~10uF钽电解电容器,这种器材的高频阻抗特别小,在500kHz~20MHz范围内阻抗小于1Ω,并且漏电流很小(0.5uA以下)。

●关于噪声才能弱、关断时电流改变大的器材和ROM、RAM等存储型器材,应在芯片的高频开关电源线(Vcc)和地线(GND)间直接接入去耦电容。

●去耦电容的引线不能过长,特别是高频旁路电容不能带引线。

相关文章

在线留言

*

*

◎欢迎您的留言,您也可以通过以下方式联系我们:

◎客户服务热线:021-51095123

◎邮箱:xin021@126.com

021-51095123
扫描二维码关注我们

扫描二维码 关注我们